一种复合锑扩散源制备方法和半导体掺杂加工的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种复合锑扩散源制备方法和半导体掺杂加工的方法，1，按质量份数将正硅酸乙酯20‑22份与乙醇35‑40份混合均匀加热至60‑65℃；2，按质量份数加入水3‑5份，60‑65℃下保温2‑3h后降至室温；3，按质量份数将正丁醇3‑15份与五氯化锑1‑5份均匀混合，其中正丁醇的质量份数是五氯化锑的3倍，通入足量氨气，过滤沉淀收集滤液得到正丁醇锑；4，将步骤3中制得的正丁醇锑加入到步骤2中制备的混合液中搅拌2‑3h即得。半导体掺杂加工的方法为：1将复合锑扩散源均匀涂布于硅片表面；2，对硅片预烘加热使得复合锑扩散源形成固化的膜层；3，将硅片移动至扩散炉中进行热扩散。通过控制膜厚及扩散源中锑的含量来实现锑掺杂浓度的精确控制。
基本信息
专利标题 ：
一种复合锑扩散源制备方法和半导体掺杂加工的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420550A
申请号 ：
CN202210000074.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阮岳峰其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
浙江尚能实业股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市杭州湾上虞经济技术开发区
代理机构 ：
绍兴上虞鸿鸣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
马鸿杰
优先权 ：
CN202210000074.X
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 H01L21/225
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/22
申请日 : 20220102
申请日 : 20220102
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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