一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法
授权
摘要
本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，具体涉及一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法，该半导体由ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物与P型掺杂剂构成；其中P型掺杂剂由正一价阳离子DA、正一价阳离子DDB、负一价阴离子DX、卤素或拟卤素原子DDX组成；DA生长于钙钛矿或其衍生物的A位，DDB作为掺杂元素生长于钙钛矿或其衍生物的B位，并导致钙钛矿或其衍生物生成X位空位，DX占据钙钛矿或其衍生物的X位，DDX作为掺杂元素占据掺杂元素DDB导致的X位空位，并导致ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物生成空穴，形成P型掺杂卤化物钙钛矿半导体。本发明突破了P型晶格掺杂卤化物钙钛矿半导体的短板，助力卤化物钙钛矿半导体电子/光电子器件的进一步发展。
基本信息
专利标题 ：
一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112909174A
申请号 ：
CN202110079755.5
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2021-01-21
授权号 ：
CN112909174B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
韩宏伟梅安意
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
尹丽媛
优先权 ：
CN202110079755.5
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/46 H01L51/50 H01L51/54
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20210121
申请日 : 20210121
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
