钙钛矿薄膜及其前驱组合物、制备方法、半导体元件
实质审查的生效
摘要
一种钙钛矿薄膜，包括由[A][B][X]3·n[C]表示的结晶结构的晶粒，其中，该[A]、[B]、[X]、[C]及n如同说明书中的定义。本公开还提供用于制备如上所述的钙钛矿薄膜的前驱组合物、钙钛矿薄膜的制备方法及包括此薄膜的半导体元件。本公开制得的钙钛矿薄膜因具有最优化晶格排列而能有效降低其表面粗糙度的效果，即便是大面积成膜，其半导体元件也能实现高元件效率及稳定性，具有应用前景。
基本信息
专利标题 ：
钙钛矿薄膜及其前驱组合物、制备方法、半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388695A
申请号 ：
CN202011282624.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄国玮童永樑邱荣宾邱培庭吴世雄
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县竹东镇中兴路4段195号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴梦圆
优先权 ：
CN202011282624.9
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/44 H01L51/48 H01L51/46
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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