制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法

专利权的终止

摘要

本发明提出了一种制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法，是在溶液中，用温度控制生成的ZnO晶粒大小，以直径为几十纳米的单分散ZnO晶粒为种子，通过化学反应在其上外延地生长Zn_1－xTM_xO，使得磁性金属离子均匀掺杂到纤锌矿结构的ZnO晶格中去，从而形成ZnO基稀磁半导体纳米棒的材料。本发明通过控制反应剂的配比，在一定范围内可控制ZnO晶体中掺杂离子的浓度；通过控制反应温度来控制生成纳米棒的形貌和结构，使之具有与稀磁半导体相关的物理性能。该方法具有制备成本低，操作简便易行，可重复性高等优点。

基本信息

专利标题：

制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1831211A

申请号：

CN200610018253.7

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-01-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王浩汪汉斌杨辅军薛双喜

申请人：

湖北大学

申请人地址：

430062湖北省武汉市武昌区宝集安

代理机构：

武汉金堂专利事务所

代理人：

丁齐旭

优先权：

CN200610018253.7

主分类号：

C30B7/14

IPC分类号：

C30B7/14 C30B29/62 C30B29/16

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B7/00

常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）

C30B7/14

由溶液中的化学反应生成的结晶化材料

法律状态

2013-03-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101416717709
IPC(主分类) : C30B 7/14
专利号 : ZL2006100182537
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20080611
终止日期 : 20120119

2011-09-14 ：

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183694219
IPC(主分类) : C30B 7/14
专利申请号 : 2006100182537
专利号 : ZL2006100182537
合同备案号 : 2011330001012
让与人 : 湖北大学
受让人 : 晨怡(浙江)电子实业有限公司
发明名称 : 制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法
申请日 : 20060119
公开日 : 20060913
授权公告日 : 20080611
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20110722

2008-06-11 ：

授权

2006-11-08 ：

实质审查的生效

2006-09-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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