单晶炉掺杂装置
授权
摘要
一种单晶炉掺杂装置,涉及单晶炉部件技术领域,包括由上至下依次密封连接并连通的进料部、阻通部、出料部;进料部包括由上至下依次密封连接并连通的真空阀、第一法兰、第二法兰、料仓,料仓的入料口与第二法兰密封连接并连通,料仓的出料口与阻通部密封连接并连通。通过第一法兰和第二法兰的拆卸分离,料仓的入料口能够与外界连通,保证了本装置能够根据掺杂剂的实际需求不断添加,保证了在投掺过程中不会出现无掺杂剂可投的情况,进而保证不会因为投掺量的问题导致拉制出来的产品品质不合格。
基本信息
专利标题 :
单晶炉掺杂装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020413455.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-27
授权号 :
CN212077194U
授权日 :
2020-12-04
发明人 :
张兴茂
申请人 :
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
孙彦虎
优先权 :
CN202020413455.7
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2020-12-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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