一种环保硼扩散源配方
公开
摘要
本发明公开了一种环保硼扩散源配方，包括以下重量份数配比的原料：乙二醇乙醚；三氧化二硼；硝酸铝和氧化铝，取三氧化二硼和乙二醇乙醚制备三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液，硝酸铝和乙二醇乙醚制备硝酸铝/乙二醇乙醚溶液，取三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液和硝酸铝/乙二醇乙醚溶液和氧化铝粉制备硼扩散液态源。该环保硼扩散源配方，通过将硅片依次经过表面腐蚀、表面氧化、干燥和抛光工序，将硅片放入氢氟酸/硝酸/水混合液体系的刻蚀溶液中反应再将硅片放入碱溶液中常温下反应，使得硅片在扩散后的表面浓度较高，解决硼扩散后由于二氧化硅吸硼作用造成的表面浓度低的问题，使得硅片在硼扩散后的均匀性较好，不会出现单一处硼扩散源较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种环保硼扩散源配方
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606573A
申请号 ：
CN202210053500.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭光辉
申请人 ：
济南晶硕电子有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市章丘区官庄街道养军村西
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210053500.6
主分类号 ：
C30B31/06
IPC分类号 ：
C30B31/06 C30B29/06 C30B31/16 C30B33/00 C30B33/10 H01L21/22 H01L21/225
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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