扩散炉
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种扩散炉,包括:反应腔室,沿第一方向延伸,反应腔室具有排气端,多个晶圆能够沿第一方向依次设置,晶圆表面沿第二方向延伸,第二方向与第一方向垂直或呈一锐角;多个气体管道,贯通反应腔室的侧壁,以将外部反应气体引入反应腔室,气体通道自排气端沿第一方向分布,气体通道的轴心与第二方向具有一锐角夹角。本发明通过气体通道的倾斜设计使得自所述气体通道喷出的反应气体能够直达晶圆的中心,从而解决了沉积过程中两边厚中间薄的问题,而由于排气端排气的作用,反应气体到达晶圆中间会向两边扩散,同时晶舟旋转加速气体的扩散,使得单片晶圆表面中心与边缘沉积的膜层的厚度更加均匀,提高产品良率。

基本信息
专利标题 :
扩散炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114369813A
申请号 :
CN202011101475.1
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2020-10-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
崔征
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN202011101475.1
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/458  C23C16/52  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20201015
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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