处理装置和处理方法
公开
摘要
本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够扩大膜厚的面内分布的调整范围的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状，在侧壁形成有排气狭缝；以及多个气体喷嘴，其沿着所述处理容器的所述侧壁的内侧在铅垂方向上延伸设置，该多个气体喷嘴相对于将所述处理容器的中心和所述排气狭缝的中心连结的直线对称配置，该多个气体喷嘴分别向所述处理容器内喷出相同的处理气体。
基本信息
专利标题 ：
处理装置和处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267579A
申请号 ：
CN202111049655.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
入宇田启树千叶洋一郎远藤笃史
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111049655.4
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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