处理装置和处理方法
公开
摘要
本发明提供一种处理装置和处理方法，用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。对基板进行处理的处理装置具有：多个处理室，在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理；多个罐单元，所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置，所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐；以及气体箱，其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。
基本信息
专利标题 ：
处理装置和处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464551A
申请号 ：
CN202111289390.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
泽地淳小笠原幸辅
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111289390.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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