用于高密度等离子体应用的高真空下的自冷却气体分配装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一用于半导体制程处理室(117)的气体分配器(400)。该气体分配器包括一气体入口(420)、一气体出口(516)、以及一具有螺纹(404)的杆部(402)。该气体分配器更包括一本体(414)，其具有一自该杆部径向往外延伸的气体偏斜表面(410)，以及一源自该气体偏斜表面、且设于该本体相对侧上的下表面；一设于该螺纹及该气体偏斜表面之间的横向座(406)；以及一自该气体入口通过该杆部及本体而至气体出口的气体通道(512)。于一特定实施例中，该横向座是适于承托一密封组件(822)。
基本信息
专利标题 ：
用于高密度等离子体应用的高真空下的自冷却气体分配装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133186A
申请号 ：
CN200580043516.3
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁奇伟路四清
申请人 ：
应用材料股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陆嘉
优先权 ：
CN200580043516.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50 C23C16/00 C23C16/505 H01L21/3065
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2015-02-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101597118638
IPC(主分类) : C23C 16/455
专利号 : ZL2005800435163
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20120718
终止日期 : 20131212
号牌文件序号 : 101597118638
IPC(主分类) : C23C 16/455
专利号 : ZL2005800435163
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20120718
终止日期 : 20131212
2012-07-18 ：
授权
2012-01-11 ：
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101262314893
IPC(主分类) : C23C 16/455
专利申请号 : 2005800435163
变更事项 : 申请人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
号牌文件序号 : 101262314893
IPC(主分类) : C23C 16/455
专利申请号 : 2005800435163
变更事项 : 申请人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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