一种传送反应物到基片的装置及其处理方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种传送反应物到基片的装置及其处理方法，包括一个支撑部件，具有一个朝上的表面，可旋转地支撑基片；一个传送元件，包括一个具有外边沿的主体，主体具有一第一表面和一个相对的第二表面，第二表面靠近基片放置，其中传送元件的第二表面中形成一个纵长的大体上连续的通道，通道与反应物源连通，所述纵长的大体上连续的通道将反应物传送到基片上。
基本信息
专利标题 ：
一种传送反应物到基片的装置及其处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101003895A
申请号 ：
CN200610023328.0
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张宝戈何乃明王树林傅丽吕青
申请人 ：
中微半导体设备（上海）有限公司
申请人地址 ：
201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）中央大道188号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN200610023328.0
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/455 C23C16/458 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2019-04-16 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C23C 16/44
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中微半导体设备（上海）有限公司
变更后 : 中微半导体设备（上海）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）中央大道188号
变更后 : 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中微半导体设备（上海）有限公司
变更后 : 中微半导体设备（上海）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）中央大道188号
变更后 : 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2011-10-19 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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