用于原子层过渡金属二硫属化物的直接图形化生长的方法
授权
摘要
一种图形化的过渡金属二硫属化物单层的直接生长的方法，该方法包括以下步骤：提供由掩模覆盖的衬底，掩模具有由一个或多个成形孔洞限定的图形；通过一个或多个成形孔洞将盐热沉积在衬底上，使得沉积盐以掩模图形设置在衬底上；以及将过渡金属氧化物和硫族元素热共沉积到沉积盐上，以形成具有掩模图形的图形化的过渡金属二硫属化物单层。还提供了根据本方法制备的图形化的过渡金属二硫属化物单层。
基本信息
专利标题 ：
用于原子层过渡金属二硫属化物的直接图形化生长的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110551986A
申请号 ：
CN201910418823.9
公开（公告）日 ：
2019-12-10
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN110551986B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李煦凡A·哈鲁特尤亚恩
申请人 ：
本田技研工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
易咏梅
优先权 ：
CN201910418823.9
主分类号 ：
C23C16/04
IPC分类号 ：
C23C16/04 C23C16/30 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/04
申请日 : 20190520
申请日 : 20190520
2019-12-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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