一种金属图形化的剥离结构
授权
摘要
本申请公开了一种金属图形化的剥离结构,包括衬底;位于衬底上表面的胶膜结构层,且胶膜结构层具有一级向上的第一台阶;位于胶膜结构层背离衬底的表面的第一光刻胶层,且第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构,也即该剥离结构具有两层屋檐结构,一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离,可用于沉积厚度较厚的图形化金属,另一方面两层屋檐结构的宽度可以按需求进行调节,使得到的图形化金属宽度更窄,且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固,不易塌陷,从而使得到的图形化金属边缘光滑。
基本信息
专利标题 :
一种金属图形化的剥离结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921366070.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-21
授权号 :
CN210575829U
授权日 :
2020-05-19
发明人 :
甘先锋杨水长
申请人 :
无锡英菲感知技术有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园A502
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
田媛媛
优先权 :
CN201921366070.3
主分类号 :
H01L21/027
IPC分类号 :
H01L21/027 H01L21/3213
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-05-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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