氧化侧壁图像传递图形化方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种用于图形化MOSFET栅极的方法，包括以下步骤：在所述栅极电介质上形成一层栅极材料；在栅极材料层上沉积非晶Si层；在非晶Si层的顶上沉积氮化物覆盖层；图形化氮化物覆盖层和非晶Si层，使得侧壁暴露在非晶Si层上；在侧壁上生长氧化物带；去除图形化的氮化物覆盖层和非晶Si层，同时在适当位置留下氧化物带；在图形化栅极材料时使用氧化物带作为掩模。
基本信息
专利标题 ：
氧化侧壁图像传递图形化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779903A
申请号 ：
CN200510113827.4
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张郢阎红雯杨庆云
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510113827.4
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003312561
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2005101138274
公开日 : 20060531
号牌文件序号 : 101003312561
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2005101138274
公开日 : 20060531
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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