本发明提供用于制备电和光硫属化物材料的化学气相沉积(CVD)方法。在优选实施方式中，该CVD沉积的材料表现出一种或多种以下性质：电转换、累积、设置、可逆多状态特性、复位、认知功能和可逆非晶形-晶态转变。在一个实施方式中，通过CVD沉积多层结构，该多层结构至少包括含有硫属元素的一个层，且在沉积后对该多层结构施加能量，以产生具有本发明所述性质的硫属化物材料。在另一个实施方式中，具有本发明所述性质的单层硫属化物材料通过包括三种或更多沉积前体的CVD沉积方法形成，至少一种沉积前体是硫属元素前体。优选的材料是那些包含硫属元素Te以及Ge和/或Sb的材料。