用于CVD反应器的进气元件
公开
摘要
本发明涉及一种用于CVD反应器(1)的进气元件(2)或者用于进气元件(2)的遮护板(14)的排气面(16)，所述排气面具有多个围绕中心(10)布置的排气开口(7、17)，其中，所述排气开口(7、17)的中点(8′)位于呈多边形的、相同地设计并且具有几何中心点(9)的单元(8)的角点(8′)上，其中，所述单元(8)的边缘(8")由交叉的参考线(13、13′、13")定义，所述参考线(13、13′、13")对应配属于至少两个线组，并且线组的参考线分别在整个排气面上笔直地并且彼此平行地延伸。按照本发明，所述中心(10)与所述角点(8′)间隔所述边缘的长度的三分之一±10％的距离。
基本信息
专利标题 ：
用于CVD反应器的进气元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269968A
申请号 ：
CN202080059285.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-07-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
O.肖恩
申请人 ：
艾克斯特朗欧洲公司
申请人地址 ：
德国黑措根拉特
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
侯宇
优先权 ：
CN202080059285.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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