喷淋板以及半导体反应腔
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种喷淋板，包含：一喷淋上板部，配置成以可拆卸的方式连接至一半导体反应腔的一顶盖上一；复数个锁固装置，每一个锁固装置具有：一连接部，具有一顶端与一底端；一第一延伸部，由所述连接部的顶端朝水平方向延伸；以及一第二延伸部，由所述连接部的底端朝水平方向延伸；其中，所述第一延伸部耦接至于所述喷淋上板部的一顶面，所述第二延伸部配置成耦接至所述顶盖，藉此当所述喷淋上板部组装至顶盖并产生一垂直方向的热应力时，所述连接部、所述第一延伸部和所述第二延伸部对于所述喷淋上板部提供一下压力抵抗所述垂直方向的热应力。本发明还提供了一种半导体反应腔。
基本信息
专利标题 ：
喷淋板以及半导体反应腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284185A
申请号 ：
CN202111675007.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
褚鑫辉杨辰烨谈太德陈新益
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111675007.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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