卧式半导体工艺炉的反应腔室及卧式半导体工艺炉
授权
摘要
本实用新型提供一种卧式半导体工艺炉的反应腔室及包含该反应腔室的卧式半导体工艺炉。卧式半导体工艺炉的反应腔室包括进气口和抽气口，还包括匀流板组件，匀流板组件设置于反应腔室的后炉门上，且遮挡位于后炉门上的抽气口；匀流板组件包括一个、或者至少两个匀流板，匀流板上开设有多个匀流小孔。匀流板组件能够延长工艺气体在反应腔室内的停留时间，改变工艺气体的流动方向，使工艺气体与硅片充分接触和反应，提高反应腔室内工艺气体的均匀性，使得硅片上各点膜厚更加均匀。
基本信息
专利标题 ：
卧式半导体工艺炉的反应腔室及卧式半导体工艺炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021018542.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-05
授权号 ：
CN212322956U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
赵庆峰王晓飞
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202021018542.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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