一种反应装置及半导体设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种反应装置及半导体设备。反应装置包括：反应腔体，包括多个层叠排列的腔体，所述腔体中设置有至少一个流通管道；在相邻的两个腔体中，上一个腔体中的流通管道的排液口凸出腔体并伸入至下一个腔体中，以和下一腔体中的流通管道的进液口连接；或者，下一个腔体中的流通管道的进液口凸出腔体并伸入至上一个腔体中，以和上一腔体中的流通管道的排液口连接；并且相互连接的排液口和进液口之间设置有第一密封圈。在本实用新型提供的反应装置中，通过在相邻的两个腔体间相连接的排液口和进液口之间增加第一密封圈，以提高连接处的密封性，使得在连接处的反渗现象可以得到有效改善，保护下层腔体内的作业环境不被污染。
基本信息
专利标题 ：
一种反应装置及半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123348685.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216648239U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
陈鹏吴智翔刘鹏
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202123348685.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
