具有等离子体能力的半导体反应室
公开
摘要
一种处理室，其包括：反应室，其具有处理区域；处理气体入口，其与处理区域连通；第一受激发物质生成区，其与处理气体入口连通；以及第二受激发物质生成区，其与处理气体入口连通。一种处理基板的方法，其包括以下步骤：在处理区域内加载基板；激活第一受激发物质生成区，以在第一脉冲期间向处理区域提供第一受激发物质前驱物；以及激活第二受激发物质生成区，以在第二脉冲期间向处理区域提供不同于第一受激发物质前驱物的第二受激发物质前驱物。
基本信息
专利标题 ：
具有等离子体能力的半导体反应室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628217A
申请号 ：
CN202210250487.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2014-07-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·B·米利根F·阿洛克塞
申请人 ：
ASMIP控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
周全
优先权 ：
CN202210250487.3
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/02 H01L21/3065 H01L21/67 C23C16/452 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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