气环及所述半导体反应腔
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种多层的气环，包含：多层，每一层包含：一第一气道，上游连接进气口；一第二气道，上游连接所述第一气道，下游连接出气口，可以避免直接在反应腔上加工气道的困难，还能将气道中压力维持一致，使不同的反应气体均匀的导入至反应区域中。本发明还提供了一种半导体反应腔。
基本信息
专利标题 ：
气环及所述半导体反应腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318301A
申请号 ：
CN202111669842.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨辰烨谈太德
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111669842.2
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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