反应气体可均匀扩散的立式扩散炉
授权
摘要
本实用新型公开了扩散炉技术领域的反应气体可均匀扩散的立式扩散炉，包括立式扩散炉本体和晶圆本体，所述立式扩散炉本体的左侧设有分流箱，所述分流箱的进气口连通有进气管，且进气管上设有气泵，所述分流箱的内腔右侧设有引导块，所述分流箱的上下两端均开设有气孔，两组所述气孔通过连通管连通立式扩散炉本体的内腔上下两端，两组所述连通管的底端连接有连接管，两组所述连接管的底端设有炉内管，所述炉内管的一侧开设有若干组出气孔，所述立式扩散炉本体的出气口连通有出气管，本实用新型提高了反应气体输出的均匀性，保证了不同晶圆本体表面薄膜生长的厚度和质量一样，且提高了连通管与分流箱连接的密封性，可防止反应气体泄漏。
基本信息
专利标题 ：
反应气体可均匀扩散的立式扩散炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123005186.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
CN216624217U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
何威威
申请人 ：
苏州欣威晟电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区长阳街415号2号楼5楼
代理机构 ：
北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程文栋
优先权 ：
CN202123005186.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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