本发明涉及半导体加工过程中向半导体加工腔室内注入和扩散气体的系统，包括密封安装在反应腔室上的真空板，与真空板密封相接的喷嘴，该喷嘴穿过与真空板牢固联接的微型电机的空心转轴，真空转轴的端部具有至少一个扩散管，在扩散管上分布有出气孔。该系统改变了半导体刻蚀设备传统的气体注入和扩散方式，改善了气体分布的均匀性，气体的动扩散使趋向均匀性的速度更快，从而有助于在晶片表面的各点上获得更加相近的刻蚀速率。而且注入气路也不复杂。随着以后晶片尺寸的不断增大，将更会体现本技术方案的优越性。