硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片
被视为撤回的申请
摘要
本发明所涉及的是硅片的多重吸杂技术及用多重吸杂技术所获得的多重吸杂硅衬底片。多重吸杂技术主要由磷扩散及多层外延组成的技术。用多重吸杂技术所获之硅片具有杂质吸杂、缺陷吸杂和多晶晶界吸杂，该硅片适于用作电荷耦合器件、光电探测器件、MOS型和TTL型大中小规模集成电路和各种硅单元器件的衬底片。多重吸杂技术简单、适用、成本低，用多重吸杂硅片所作器件结构性好、暗电流小、成品率高。
基本信息
专利标题 ：
硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86104069A
申请号 ：
CN86104069
公开（公告）日 ：
1987-02-11
申请日 ：
1986-06-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅有文何伟全樊世绪卓建会肖德柠
申请人 ：
电子工业部第四十四研究所
申请人地址 ：
四川省永川县1102信箱
代理机构 ：
重庆专利事务所
代理人 ：
李启良
优先权 ：
CN86104069
主分类号 ：
C30B31/06
IPC分类号 ：
C30B31/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
法律状态
1989-11-08 ：
被视为撤回的申请
1987-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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