制取固体激光器用的晶体薄膜的方法和装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明方法通过采用半导体制作过程的类似方式（如ＣＶＤ法）将材料和薄膜厚度控制在原子标度内，以用于制做薄膜晶体，所用的类似半导体制作过程是与常规技术完全不同的。本发明涉及制作固体激光器用的晶体薄膜，其中装在容器中的基片在高真空条件下被加热，构成激光器的材料以气体、离子、单一金属或者金属化合物形式被送到上述基片的表面上，在上述基片表面上成长晶体，与供送上述构成激光器主晶的材料的同时，将激活离子材料也送到上述基片的表面上，借此控制激活离子材料的价数，使与构成上述激光器主晶的晶体的金属离子价数一致。$＃!
基本信息
专利标题 ：
制取固体激光器用的晶体薄膜的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1095769A
申请号 ：
CN94102764.3
公开（公告）日 ：
1994-11-30
申请日 ：
1994-02-04
授权号 ：
CN1075569C
授权日 ：
2001-11-28
发明人 ：
熊谷宽丰田浩一
申请人 ：
理化学研究所
申请人地址 ：
日本埼玉县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN94102764.3
主分类号 ：
C30B31/06
IPC分类号 ：
C30B31/06 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
法律状态
2005-04-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-11-28 ：
授权
1996-05-15 ：
实质审查请求的生效
1994-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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