半导体器件及其制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，双隔离扩散区的下扩散层加在衬底表面上，在该下扩散层上形成外延层，该层主要朝上向外扩散入外延层，同时从外延层表面深扩散一元件扩散区，然后浅扩散双隔离扩散区的上扩散层。由此抑制上扩散层的横向延伸，改善集成度。本发明器件中双隔离扩散区、集电区、基区及发射区都形成在外延层宽度内。该器件的基区宽度起伏减少，过渡频率fT和电流增益hFE得到提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102691A
申请号 ：
CN86102691.8
公开（公告）日 ：
1986-12-17
申请日 ：
1986-04-19
授权号 ：
CN1004456B
授权日 ：
1989-06-07
发明人 ：
田端辉夫
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府守口区
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN86102691.8
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L21/223 H01L27/06 H01L29/72
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2001-12-12 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-02-21 ：
授权
1989-06-07 ：
审定
1986-12-17 ：
公开
1986-09-03 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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