半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法
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摘要
半导体元件的制造方法，其是使用多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其特征在于，包括下述(a)~(c)的步骤，在(b)和(c)的步骤中，将两张一组的半导体基板以各自的形成有第一导电型的杂质扩散组合物膜的表面彼此相对的方式进行配置，(a)在各半导体基板的一个表面上涂布第一导电型的杂质扩散组合物从而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的步骤；(b)将形成有前述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热、使前述第一导电型的杂质向前述半导体基板扩散从而形成第一导电型的杂质扩散层的步骤；(c)在具有包含第二导电型的杂质的气体的氛围下将前述半导体基板进行加热、使第二导电型的杂质向前述半导体基板的另一个表面扩散从而形成第二导电型的杂质扩散层的步骤。提供减少步骤数从而能够高效率地制造半导体元件和太阳能电池的半导体元件
基本信息
专利标题 ：
半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108391449A
申请号 ：
CN201680071206.0
公开（公告）日 ：
2018-08-10
申请日 ：
2016-12-02
授权号 ：
CN108391449B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
池上由洋稻叶智雄
申请人 ：
东丽株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
郭煜
优先权 ：
CN201680071206.0
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 H01L31/068 H01L31/18 H01L21/225 H01L21/223
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2018-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/22
申请日 : 20161202
申请日 : 20161202
2018-08-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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