一种制造半导体元件的方法和由此方法制成的太阳能电池
专利权的终止
摘要
半导体元件上的掺杂区是按下述方法制成的，在半导体衬底表面的一部分涂敷形成掩蔽层并含有掺杂剂的氧化物，加温使掺杂剂向半导体衬底扩散，在掺杂过程中半导体衬底的未被保护的表面的不希望的自掺杂也发生了，为此，通过碱腐蚀或等离子体腐蚀将半导体衬底的自掺杂区域腐蚀掉，所述掩蔽层构成对其下的掺杂区的保护阻挡层。在制造带有分别为P和N导电型的两个掺杂区的太阳能电池时，两掺杂区之间的距离可用于通过在阻塞(blocking)方向偏置的二极管调节暗电流的变化率。
基本信息
专利标题 ：
一种制造半导体元件的方法和由此方法制成的太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057735A
申请号 ：
CN91104372.1
公开（公告）日 ：
1992-01-08
申请日 ：
1991-05-30
授权号 ：
CN1025392C
授权日 ：
1994-07-06
发明人 ：
亚科瓦·塞弗
申请人 ：
亚科瓦·塞弗
申请人地址 ：
丹麦灵斯泰兹
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN91104372.1
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 H01L31/068
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004440842
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL911043721
申请日 : 19910530
授权公告日 : 19940706
号牌文件序号 : 101004440842
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL911043721
申请日 : 19910530
授权公告日 : 19940706
2002-06-12 ：
其他有关事项
1994-07-06 ：
授权
1993-07-14 ：
实质审查请求的生效
1992-01-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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