磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺
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摘要
本发明公开了磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺，涉及半导体器件加工技术领域。本发明主包括装舟过程、扩散过程、扩散后清洗过程、P/N两面喷砂过程，选择合适的扩散条件，所形成的扩散后基片可满足整流芯片的全部电特性的要求。本发明通过将传统工艺磷、硼二次扩散工艺合并为磷硼同步一次扩散工艺，使得工艺流程简单，生产周期短，良品率高，反向漏电流小，器件在高低温循环使用过程中寿命长，且成本降低，相较于传统工艺，能够节约三、四天，另外，采用碳化硅粉作为硼铝纸源用的分离剂，不会对磷产生吸附作业，耐高温能力(HTRB能力)相对较高，可靠性高，在缓变结扩散工艺过程中硅片不易腐蚀。
基本信息
专利标题 ：
磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161230A
申请号 ：
CN202011471400.2
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
CN113161230B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
汪良恩张小明安启跃
申请人 ：
安徽安芯电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省池州市经济技术开发区富安电子信息产业园10号
代理机构 ：
合肥洪雷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐赣林
优先权 ：
CN202011471400.2
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/225
申请日 : 20201214
申请日 : 20201214
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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