采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池。包括硅片，硅片上划分为需要进行低掺杂的低掺杂区和需要进行高掺杂高掺杂区，在硅片的低掺杂区上覆盖有磷不可渗透浆料或膜。本太阳电池加工简单，易实现，污染小，适于产业化生产。
基本信息
专利标题 ：
采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820130144.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-08-04
授权号 ：
CN201332101Y
授权日 ：
2009-10-21
发明人 ：
汪钉崇邓伟伟
申请人 ：
常州天合光能有限公司
申请人地址 ：
213031江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
代理机构 ：
常州市维益专利事务所
代理人 ：
王凌霄
优先权 ：
CN200820130144.9
主分类号 ：
H01L31/042
IPC分类号 ：
H01L31/042 H01L31/18
法律状态
2014-10-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101587301971
IPC(主分类) : H01L 31/042
专利号 : ZL2008201301449
申请日 : 20080804
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20130804
号牌文件序号 : 101587301971
IPC(主分类) : H01L 31/042
专利号 : ZL2008201301449
申请日 : 20080804
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20130804
2009-10-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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