一种单晶太阳能电池片的扩散工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及太阳能电池生产领域。一种单晶太阳能电池片的扩散工艺，将硅片进行制绒处理，装入扩散电阻炉；将扩散炉炉腔内的温度升高至第一设定温度，稳定后通入氮气和氧气进行氧化反应；将扩散炉炉腔内的温度设置成三种不同的温度，通入氧气、三氯氧磷和氮气，三次扩散；将扩散炉炉腔内的温度升高至第五设定温度，对磷原子进行高温推进。本发明主要对硅片进行三次扩散，分别制备出N11区、N+12区和N++13区PN结结构，并且还通过控制磷源的流量改变其最外层杂质磷的扩散浓度，形成重掺杂的N++13区，与其正电极形成较为理想的欧姆接触，从而使得短路电流增大。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶太阳能电池片的扩散工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447140A
申请号 ：
CN202011184301.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘照敏刘杰张泽泽刘栩瑞申争浩
申请人 ：
山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请人地址 ：
山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人 ：
李富元
优先权 ：
CN202011184301.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/225 H01L31/068
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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