采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池。它包括硅片和硅片正面的电极，在正面电极的印刷区下设置通过磷浆扩散工艺形成的高掺杂区，在正面电极的非印刷区下设置形成高掺杂区后再次通过扩散工艺而形成的低掺杂区。本电池易加工和实现，适于产业化生产，具有较高的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820038903.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-07-31
授权号 ：
CN201233895Y
授权日 ：
2009-05-06
发明人 ：
汪钉崇焦云峰
申请人 ：
常州天合光能有限公司
申请人地址 ：
213031江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
代理机构 ：
常州市维益专利事务所
代理人 ：
王凌霄
优先权 ：
CN200820038903.9
主分类号 ：
H01L31/042
IPC分类号 ：
H01L31/042 H01L31/18
法律状态
2014-10-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101587369959
IPC(主分类) : H01L 31/042
专利号 : ZL2008200389039
申请日 : 20080731
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20130731
号牌文件序号 : 101587369959
IPC(主分类) : H01L 31/042
专利号 : ZL2008200389039
申请日 : 20080731
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20130731
2009-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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