晶体硅太阳能电池结构
授权
摘要
本实用新型提供一种晶体硅太阳能电池结构。该晶体硅太阳能电池结构包括硅基体，所述硅基体的受光面一侧由内向外依次设有P‑N结、钝化层、空穴提取传输层和第一覆盖介质层，所述第一覆盖介质层上设有第一导电金属电极，所述第一导电金属电极的一端穿过所述第一覆盖介质层并与所述空穴提取传输层相接触，所述硅基体的背光面一侧由内向外依次设有第VA族元素掺杂的硅基体掺杂层或钝化叠层、第二覆盖介质层，所述第二覆盖介质层上设有第二导电金属电极，所述第二导电金属电极穿过所述第二覆盖介质层并与所述硅基体掺杂层或钝化叠层相连。根据本实用新型实施例的晶体硅太阳能电池结构，可以提高太阳能电池的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
晶体硅太阳能电池结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920470989.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN209785961U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
陈孝业薛文娟张俊兵
申请人 ：
晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市经济开发区建华路1号
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐颖聪
优先权 ：
CN201920470989.0
主分类号 ：
H01L31/068
IPC分类号 ：
H01L31/068 H01L31/0224
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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