晶体硅太阳能电池

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极22、窗口层23、第二导电类型重掺杂层24、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底26、背面电极27，本实用新型通过设置所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24就能够降低所述窗口层23带来的复合损失，通过设置所述窗口层23又能够降低所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24带来的欧姆损失，并同时降低所述正面栅状金属电极22带来的遮挡损失，由此可将通常的晶体硅太阳能电池的转换效率提高至少10％以上。

基本信息

专利标题：

晶体硅太阳能电池

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820085828.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-25

授权号：

CN201289855Y

授权日：

2009-08-12

发明人：

黄麟

申请人：

黄麟

申请人地址：

312000浙江省绍兴市袍江工业区丽都花园21-5-309室

代理机构：

绍兴市越兴专利事务所

代理人：

方剑宏

优先权：

CN200820085828.1

主分类号：

H01L31/068

IPC分类号：

H01L31/068