晶体硅太阳能电池片背电场结构
授权
摘要
本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池片背电场结构，其包括有铝浆覆盖形成的铝背场和银浆铺设形成的背电极，该背电极包括有复数个彼此竖向间隔设置的主线段和连接于相邻主线段之间的连接段，该连接段宽度小于主线段宽度，且各连接段分别由铝背场覆盖隐藏，主线段端部及两侧分别与铝背场相连。因此，通过将背电极采用分段露出及埋藏式设计，使背电极局部被铝背场100%覆盖，实现完全导通，解决了传统电池片因印刷偏移或铝背场烧结后收缩引起电池片分切后的电性能问题。同时该背电极相对于传统背电极面积更小，减少了银浆的使用量，降低了电池片的生产成本，同时更加环保。
基本信息
专利标题 ：
晶体硅太阳能电池片背电场结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020040985.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-09
授权号 ：
CN211125664U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
王亚平
申请人 ：
深圳市至上光伏科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华新区龙华办事处梅观高速公路东侧中裕冠产业园宿舍A4栋二楼201-210
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
周黎阳
优先权 ：
CN202020040985.1
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/068
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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