一种p型晶体硅太阳能电池
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摘要
本实用新型提供了一种p型晶体硅太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触的背面金属电极。本实用新型的p型晶体硅太阳能电池，减少了光学损失，且接触区复合小、光电转换效率高、开路电压大，成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种p型晶体硅太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920960985.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN210575969U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
李华刘继宇
申请人 ：
泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市海陵区兴泰南路268号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
莎日娜
优先权 ：
CN201920960985.0
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/028 H01L31/04 H01L31/18
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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