本发明提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池，属于光伏技术领域。本发明提供的晶体硅太阳能电池的制备方法，在晶体硅衬底的正面沉积掺杂介质层，后续对导电极性半导体的晶化程度处理以及极性增长处理中，更高的反应温度同时也使得掺杂介质层中的掺杂杂质向晶体硅衬底扩散，由于沉积工艺温度低于扩散工艺温度，因此，先沉积掺杂介质层再利用后续步骤中的高温工艺扩散杂质，降低了生产过程中生产设备的耗能，从而解决了掩膜层厚度与生产产能矛盾的问题，可以调整掺杂介质层获得合适的膜层厚度，对晶体硅衬底的正面起到良好的掩膜作用，并减少因高温环境引起的晶体硅衬底中缺陷的形成，提高硅衬底表面形貌的结构均匀性。