扩散工艺用石英源瓶
授权
摘要
本实用新型公开了一种扩散工艺用石英源瓶，包括石英源瓶、进气管、第一阀门、出气管、第二阀门、半透膜框、第一导气管、补气罐、补气管、支撑底座与第二导气管，进气管的一端位于石英源瓶的上部，进气管的另一端位于石英源瓶的内部且靠近石英源瓶的底部，第一阀门设置于进气管的顶端，出气管的一端位于石英源瓶的上部，出气管的另一端位于石英源瓶的内部且靠近石英源瓶的底部，第二阀门设置于出气管的顶端，半透膜框设置于石英源瓶的内部，补气罐通过第一导气管、第二导气管与石英源瓶连接，补气管设置于补气罐的顶部，支撑底座设置于补气罐的底部。本实用新型有效增强氮气的气态扩散源的均匀程度，提高扩散工序的工作效率。
基本信息
专利标题 ：
扩散工艺用石英源瓶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021720148.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN213816065U
授权日 ：
2021-07-27
发明人 ：
兰锋
申请人 ：
浙江泓芯半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市柯城区航埠镇通航一路3号1幢、2幢、3幢
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
陆永强
优先权 ：
CN202021720148.X
主分类号 ：
H01L21/228
IPC分类号 ：
H01L21/228 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/228
应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如合金扩散工艺方法
法律状态
2021-07-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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