一种基于硼扩散的湿氧氧化扩散工艺
公开
摘要
本发明公开了一种基于硼扩散的湿氧氧化扩散工艺，本发明在高温硼扩散工艺中，工艺温度980℃及以上氧化条件下，分阶段通入氧气及携氧水汽，能够在高温较短时间内实现生长工艺所需的氧化层厚度，有效控制硅片表面掺杂浓度，提升电池转换效率。与传统硼扩工艺相比，本发明增加了降温步骤后，氧气携水汽混合进炉管工艺的步骤，与传统硼扩干氧工艺相比，本发明能有效缩短整个工艺时间，产能得到提升；相对于传统硼扩工艺，本发明使工艺在1000℃以上的高温段时间缩短，能间接提升密封备件及热场的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硼扩散的湿氧氧化扩散工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582714A
申请号 ：
CN202210101939.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林佳继卢佳梁笑毛文龙范伟祁文杰
申请人 ：
拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202210101939.1
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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