一种双向防静电ESD器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种双向防静电ESD器件，包括一个P型衬底，在其上方设置BN，BN上方设置两个P阱，所述两个P阱由一个N阱隔开，两个P阱外侧亦设置有N阱，两个P阱内都设有P型重掺杂和N型重掺杂，一个P阱内的P型重掺杂和N型重掺杂连接一号端口，另一个P阱内的P型重掺杂和N型重掺杂连接二号端口，其特征在于，两个P阱和N阱之间也设置有P型重掺杂。上述结构使得保持SCR双向都可以通过PNPN结构泄放ESD的电流，且SCR开启电压较原结构降低；此外，上述设计使得本实用新型可以通过调整掺杂区域的大小和长度等参数来调整调整SCR的开启电压和保持电压。
基本信息
专利标题 ：
一种双向防静电ESD器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920816668.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-02
授权号 ：
CN210092080U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
胡光亮黄志诚
申请人 ：
上海雷卯电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区朱泾镇大茫村增产1029号六栋
代理机构 ：
上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
衣然
优先权 ：
CN201920816668.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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