一种可控硅器件
授权
摘要
本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与所述衬底层之间，使得正面隔离层与所述正面阳极层的凸起部之间设有正面衬底隔离区，背面隔离层与所述背面阳极层的凸起部之间设有背面衬底隔离区，从而可以通过调节正面衬底隔离区和背面衬底隔离区的宽度对可控硅器件的击穿电压进行调节，避免了在制备过程中需要针对击穿电压的不同更换不同的硅基材，导致的制造成本增加、工艺复杂等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921496834.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-09
授权号 ：
CN210403737U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
张潘德赖首雄蓝浩涛
申请人 ：
深圳市德芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街坂田文化创意园Y1栋1楼12-13号212室
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘永康
优先权 ：
CN201921496834.0
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/74 H01L21/331
相关图片
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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