可控硅元器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种可控硅元器件及其制备方法。其中，该可控硅元器件包括：短基区；门极电极，位于短基区上方；和门极沟槽，位于短基区和门极电极之间，填充有掺杂多晶硅，用于将门极电极和短基区分隔开。本发明的可控硅元器件的门极电极G底下有个沟槽结构，沟槽里面填充了掺杂多晶硅，该掺杂多晶硅可以调整门极电极的电阻Rg大小值，改善了可控硅器件IGT参数不一致的现象，增加了实用性。进一步地，该掺杂多晶硅的门极沟槽能减少表面杂质离子沾污，有效减少门极IGT值受表面影响而漏电，使门极参数更加稳定、可靠，提高了产品的合格率，增加了经济效益。
基本信息
专利标题 ：
可控硅元器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335171A
申请号 ：
CN202011072030.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李培刚
申请人 ：
李培刚
申请人地址 ：
浙江省杭州市江干区金沙学府30幢2单元201室
代理机构 ：
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
谢清萍
优先权 ：
CN202011072030.5
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/06 H01L21/332
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/74
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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