电子元器件及其制造方法
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摘要
如专利文献1所述，若随着混合IC等电子元器件进一步降低高度，而减薄屏蔽壳，则由于屏蔽壳是金属制的，因此难以高精度地对它进行弯折等加工，另外由于吸取时作用的外力，使屏蔽壳的变形显著。在专利文献2所述的技术中，由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状，因此若为了电子元器件降低高度，而减薄盖罩的陶瓷厚度，则例如图18(a)、(b)所示，顶部2A产生弯曲。本发明的电子元器件10包括；具有布线图形14的布线基板11；安装在布线基板11的上表面的表面安装元器件12；以及覆盖布线基板11的盖罩13，盖罩13包括；利用平板状的陶瓷构件形成的顶部13A；以及利用具有与表面安装元器件12相同程度的高度的柱状构件而形成的脚部13B。
基本信息
专利标题 ：
电子元器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065842A
申请号 ：
CN200580040741.1
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西泽吉彦池田哲也
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200580040741.1
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2009-05-06 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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