内装片状电子元器件的多层基板及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明的内装片状电子元器件的多层基板(10)，具有将多层陶瓷层(11A)叠层而成的陶瓷叠层体(11)、以及埋入该陶瓷叠层体(11)内而且具有外部端子电极(13A)的片状电子元器件(13)，对陶瓷层(11A)沿着它的叠层方向设置通路导体(12B)，片状电子元器件(13)的外部端子电极(13A)与通路导体(12B)连接，而且在通路导体(12B)的上下端面中的至少一个端面形成连接用的连接台阶部分(12C)。在专利文献1所述的以往技术的情况下，若烧结体与内部导体膜的位置没有对准，有位移，烧结体片仅与内部导体膜稍微连接一点，则有导致与烧结体片连接不良的危险。

基本信息

专利标题：

内装片状电子元器件的多层基板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1906986A

申请号：

CN200580001682.7

公开（公告）日：

2007-01-31

申请日：

2005-10-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

近川修酒井范夫

申请人：

株式会社村田制作所

申请人地址：

日本京都府

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

沈昭坤

优先权：

CN200580001682.7

主分类号：

H05K3/46

IPC分类号：

H05K3/46