一种高压静电防护器件和电路
授权
摘要
本实用新型公开一种高压静电防护器件和电路，其中高压静电防护器件，包括P型衬底，所述P型衬底上设置有N型隔离层，所述N型隔离层上设置有N阱注入区和P阱注入区，所述N阱注入区和P阱注入区并排设置，所述N阱注入区顶部中间设置有N+注入区，所述P阱注入区顶部中间设置有P+注入区,N+注入区用于作为器件的阴极，P+注入区用于作为器件的阳极。方案结构简单，可以实现高压静电防护，同时能够提供负电位的保护，且具有较强的兼容性，能够用于不同的工艺和耐压。
基本信息
专利标题 ：
一种高压静电防护器件和电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922237365.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-13
授权号 ：
CN210926016U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
徐黎杨佳王瑶周子琪郑达真
申请人 ：
福建省福芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D单元
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN201922237365.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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