负压端口静电防护电路

授权

摘要

本实用新型提供一种负压端口静电防护电路，包括：PMOS管，NMOS管及电阻；所述PMOS管的源极、栅极及衬底连接电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述NMOS管的源极并连接至芯片的负压输入端；所述NMOS管的源极、栅极及P阱电极连接在一起，所述NMOS管的漏极及深阱区电极接参考地；所述电阻的一端连接所述PMOS管的漏极及所述NMOS管的源极，另一端连接内部电路。本实用新型的负压端口静电防护电路在输入负压时对人体或机器瞬间接触产生的大电压或大电流进行泄放从而有效保护内部电路，同时通过限流进一步减小对内部电路的损坏。

基本信息

专利标题：

负压端口静电防护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021742990.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-19

授权号：

CN212625576U

授权日：

2021-02-26

发明人：

聂虹孙英苏香

申请人：

中天弘宇集成电路有限责任公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

施婷婷

优先权：

CN202021742990.3

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02