一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置,包括:基板;总控制器,所述总控制器设置在所述基板上;栅极阈值电压测试电路,所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接,并用于与一个待测IGBT模组连接;集射极截止电流测试电路,所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接,并用于与一个待测IGBT模组连接;以及栅极漏电流测试电路,所述栅极漏电流测试电路与所述总控制器连接,并用于与一个待测IGBT模组连接;该IGBT测试装置有利于同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试,从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及栅极漏电流。
基本信息
专利标题 :
一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020425305.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-30
授权号 :
CN212845730U
授权日 :
2021-03-30
发明人 :
吴丹岳林焱黄道姗黄霆林芳方晓玲杜培刘辉山张健
申请人 :
国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司
申请人地址 :
福建省福州市仓山区复园支路48号
代理机构 :
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 :
丘鸿超
优先权 :
CN202020425305.8
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26 G01R1/04 G01R1/18
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-03-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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