一种沟槽阵列晶体管结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种沟槽阵列晶体管结构，包括晶体管主体、引脚和支撑组件，所述引脚阵列安装在晶体管主体上下表面，两个所述支撑组件相对安装在晶体管主体两侧，所述支撑组件包括卡板、支撑块和压紧螺杆，“U”型的所述卡板套设在晶体管主体侧面，且内表面固定有与晶体管主体表面接触的填充层，所述支撑块固定在卡板后表面，且可与安装面接触，所述压紧螺杆垂直安装在卡板前表面，且可对晶体管主体表面挤压接触，所述晶体管主体与安装面留有距离；本实用新型通过设置有支撑组件，既不影响晶体管结构的安装和使用，又可对晶体管主体起到支撑防护作用，让晶体管主体与安装面之间留有距离，提高晶体管散热效率，又避免表面造成磨损。

基本信息

专利标题：

一种沟槽阵列晶体管结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021130563.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-17

授权号：

CN212485298U

授权日：

2021-02-05

发明人：

王以凯

申请人：

无锡芯硅科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G1-1001

代理机构：

北京伊诺未来知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

杨群

优先权：

CN202021130563.X

主分类号：

H01L23/10

IPC分类号：

H01L23/10 H01L23/467

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/02

容器；封接

H01L23/10

按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的

法律状态

2022-06-07 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/10
申请日 : 20200617
授权公告日 : 20210205
终止日期 : 20210617

2021-02-05 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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