一种晶体管结构
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种晶体管结构。该晶体管结构包括光电二极管和三极管，光电二极管包括P型区和N型区，光电二极管的P型区和N型区为重掺杂区域，三极管的发射区为重掺杂区域，光电二极管的P型区或N型区与三极管的发射区联结。本实用新型实施例的技术方案通过将光电二极管的P型区或N型区与三极管的发射区联结，将光电二极管产生的微弱的光电流经过三极管放大后输出，可以实现放大光电流，提高光电二极管的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922237511.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-13
授权号 ：
CN210723026U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
蔡俊飞
申请人 ：
云谷（固安）科技有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市固安县新兴产业示范区
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
范坤坤
优先权 ：
CN201922237511.6
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L27/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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