改进的晶体管堆栈封装结构

专利权的终止

摘要

一种改进的晶体管堆栈封装结构，包括基板总成、第一和第二晶粒，第一晶粒固设于基板总成上，第一晶粒朝上端面外侧有导接件，第一晶粒朝上端面内侧有焊线由内朝外与导接件呈电性连接，而导接件外侧亦有焊线，导接件外侧的焊线朝外并向下与基板总成呈电性连接，且导接件朝上端面有一第二晶粒；第二晶粒与导接件间未呈电性连接而有一区隔层，第二晶粒朝上端面外侧有焊线，第二晶粒外侧的焊线由内朝外延伸并向下与基板总成呈电性连接；基板总成上包覆一封装体，封装体包覆第一和第二晶粒、导接件，形成一完整的封装结构。本实用新型使单一封装个体达到多功能的效果，结构更加稳固、封装更加完整。

基本信息

专利标题：

改进的晶体管堆栈封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720195076.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-11-16

授权号：

CN201126820Y

授权日：

2008-10-01

发明人：

资重兴白金泉

申请人：

利顺精密科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾

代理机构：

天津三元专利商标代理有限责任公司

代理人：

高凤荣

优先权：

CN200720195076.X

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L25/18 H01L23/488 H01L23/31